K4B4G1646D-BCMA0 vs MT41K256M16HA-125 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCMA0 por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fim de vida
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCMA0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $6,36 |
| Tipo de memória | DDR3 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Tamanho da memória | 4 Gb | 4Gbit (256M x 16) |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | — |
| Tensão de alimentação | 1.5 V | 1.35 V |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Status do ciclo de vida | EOL | — |
| Technology | DDR3 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Número de pinos | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latência CAS | — | 11 |