K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCNB0 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interface | DDR3L SDRAM | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Type de mémoire | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |