K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCNB0 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interfaz | DDR3L SDRAM | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Tipo de memoria | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |