K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCNB0 por Samsung Electronics e K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| Interface | DDR3L SDRAM | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Número de pinos | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| Tipo de memória | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |