K4B4G1646D-BCNB0 vs K4B4G1646D-BFMA 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BCNB0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646D-BFMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BCNB0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $6.50 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| 공급 전압 | 1.35 V (DDR3L) | 1.5V |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh rate] | — |
| 인터페이스 | DDR3L SDRAM | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Die | D-die | — |
| 메모리 유형 | — | DDR3 SDRAM |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |