K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics et IS43TR16256AL-107MBLI par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,32 | $2,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Boîtier | FBGA-96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Boîtier / Format | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |