K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics および IS43TR16256AL-107MBLI メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.32 | $2.00 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| データレート | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| パッケージ | FBGA-96 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| ピン数 | 96 | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| パッケージ / ケース | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |