K4B4G1646E-BYMA vs IS43TR16256AL-107MBLI Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics и IS43TR16256AL-107MBLI от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYMA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,32 | $2,00 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Корпус | FBGA-96 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| Количество выводов | 96 | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Корпус / Типоразмер | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |