K4B4G1646F-BYK0 vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646F-BYK0 par Samsung Electronics et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646F-BYK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $3,98 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V / 1.5V | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (TC) | — |
| Interface | Parallel | 16-bit I/O |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |