K4B4G1646F-BYK0 vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646F-BYK0 por Samsung Electronics e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646F-BYK0 | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,80 | $3,98 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V / 1.5V | — |
| Taxa de dados | 1866 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (TC) | — |
| Interface | Parallel | 16-bit I/O |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latência CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |