K4RBH046VM-BCCP vs K4RCH046VM-2CCM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH046VM-BCCP par Samsung Electronics et K4RCH046VM-2CCM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH046VM-BCCP | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | NRND |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,60 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| Débit de données | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0 C to +85 C | 0 to 85 C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample / Active | Sample |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Density | — | 32 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 4G x 4 |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Type d'interface | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |