K4RBH046VM-BCCP vs K4RCH046VM-2CCM 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RBH046VM-BCCP 제조: Samsung Electronics 및 K4RCH046VM-2CCM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RBH046VM-BCCP | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.60 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| 공급 전압 | 1.1 V | 1.1 V |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0 C to +85 C | 0 to 85 C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample / Active | Sample |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Density | — | 32 Gb |
| 메모리 구성 | — | 4G x 4 |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| 인터페이스 유형 | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |