K4RBH046VM-BCCP vs K4RCH046VM-2CCM Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RBH046VM-BCCP por Samsung Electronics e K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RBH046VM-BCCP | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | NRND |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $9,60 | $0,00 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamanho da memória | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| Taxa de dados | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | Parallel | — |
| Encapsulamento | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0 C to +85 C | 0 to 85 C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample / Active | Sample |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Density | — | 32 Gb |
| Organização da memória | — | 4G x 4 |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Tipo de interface | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |