K4RBH046VM-BCCP vs K4RCH046VM-2CCM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RBH046VM-BCCP por Samsung Electronics y K4RCH046VM-2CCM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RBH046VM-BCCP | K4RCH046VM-2CCM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | NRND |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,60 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| Velocidad de datos | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to +85 C | 0 to 85 C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR5 | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample / Active | Sample |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Density | — | 32 Gb |
| Organización de memoria | — | 4G x 4 |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Tipo de interfaz | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| On-Die ECC | — | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] |