K4RHE086VB-BCWM vs K4RHE086VP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE086VP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE086VB-BCWM | K4RHE086VP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DDR5 |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,65 | $9,90 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | x8 |
| Débit de données | 5600 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | — |
| Boîtier | 82 FBGA | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes (DDR5 standard feature) |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Process Node | — | 1a-class (D1a) |
| Package Type | — | FBGA |
| Type d'interface | — | DDR5 (double data rate 5) |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD in V] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Marque | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | Samsung K4RHE DDR5 series |
| Typical Application | — | Server / client DRAM modules |