K4RHE086VB-BCWM vs K4RHE086VP Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE086VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RHE086VP por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE086VB-BCWM | K4RHE086VP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DDR5 |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,65 | $9,90 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 24 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | x8 |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | — |
| Encapsulado | 82 FBGA | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | DDR5 (JEDEC) | — |
| Configuration | x8 | — |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Estado RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | Yes (DDR5 standard feature) |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Process Node | — | 1a-class (D1a) |
| Package Type | — | FBGA |
| Tipo de interfaz | — | DDR5 (double data rate 5) |
| Maximum Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD in V] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Marca | — | Samsung Electronics |
| Product Family | — | Samsung K4RHE DDR5 series |
| Typical Application | — | Server / client DRAM modules |