K6F3216U6M-EF70T vs K6X1008C2D-TF55 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6F3216U6M-EF70T par Samsung Electronics et K6X1008C2D-TF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X1008C2D-TF55 - 1Mbit 128Kx8 SRAM 55ns 5V | Samsung
K6X1008C2D-TF55 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K6F3216U6M-EF70T | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,10 | $2,35 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 2M x 16 | 128K x 8 |
| Tension d'alimentation | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Low Power Full CMOS |
| Boîtier | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 32-TSOP REVERSE |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| Statut RoHS | NO (per third-party listing) | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Operating Current | — | 35 mA |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | — | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |