K6F3216U6M-EF70T vs K6X1008C2D-TF55 比較
詳細な並列比較: K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics および K6X1008C2D-TF55 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K6F3216U6M-EF70T | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.10 | $2.35 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 32 Mbit | 1 Mbit |
| メモリ構成 | 2M x 16 | 128K x 8 |
| 電源電圧 | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Low Power Full CMOS |
| パッケージ | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 32-TSOP REVERSE |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS ステータス | NO (per third-party listing) | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Operating Current | — | 35 mA |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | — | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |