K6F3216U6M-EF70T vs K6X1008C2D-TF55 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6F3216U6M-EF70T 제조: Samsung Electronics 및 K6X1008C2D-TF55 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K6F3216U6M-EF70T | K6X1008C2D-TF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.10 | $2.35 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 32 Mbit | 1 Mbit |
| 메모리 구성 | 2M x 16 | 128K x 8 |
| 공급 전압 | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Low Power Full CMOS |
| 패키지 | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 32-TSOP REVERSE |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS 상태 | NO (per third-party listing) | RoHS: Yes (per distributor listing) |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 55 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Operating Current | — | 35 mA |
| Speed Options | — | 55 ns, 70 ns |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Memory Format | — | Volatile (SRAM) |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |