K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-BF70 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF70 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-BF70 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $1,85 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM (CMOS) |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | — |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (TA) | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) |
| Boîtier | 28-SOP | 28-SOP (PDSO28) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| Largeur du bus de données | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | — | 32K x 8 |
| Interface | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Operating Current (active) | — | [DATA_NEEDED: Operating Current] |
| Standby Current (CMOS) | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Data Retention | — | Volatile (battery-backup capable with CE control) |
| I/O Type | — | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) |
| Address Bus | — | A0-A14 (15 address lines) |