K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-BF70 比較
詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF70T メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-BF70 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-BF70 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.05 | $1.85 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM (CMOS) |
| メモリサイズ | 256 Kbit | — |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| 動作温度 | -40C to +85C (TA) | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) |
| パッケージ | 28-SOP | 28-SOP (PDSO28) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| データバス幅 | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 256 Kbit |
| メモリ構成 | — | 32K x 8 |
| インターフェース | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS |
| 電源電圧 | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Operating Current (active) | — | [DATA_NEEDED: Operating Current] |
| Standby Current (CMOS) | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Data Retention | — | Volatile (battery-backup capable with CE control) |
| I/O Type | — | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) |
| Address Bus | — | A0-A14 (15 address lines) |