K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-BF70 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K6X0808C1D-BF70T por Samsung Electronics e K6X0808C1D-BF70 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-BF70 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Fim de vida |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,05 | $1,85 |
| Tipo de memória | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM (CMOS) |
| Tamanho da memória | 256 Kbit | — |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Temperatura de operação | -40C to +85C (TA) | 0C to +70C (commercial grade, BF suffix) |
| Encapsulamento | 28-SOP | 28-SOP (PDSO28) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| Largura do barramento de dados | 8 bit (I/O0-I/O7) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 256 Kbit |
| Organização da memória | — | 32K x 8 |
| Interface | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS |
| Tensão de alimentação | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Operating Current (active) | — | [DATA_NEEDED: Operating Current] |
| Standby Current (CMOS) | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Data Retention | — | Volatile (battery-backup capable with CE control) |
| I/O Type | — | Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7) |
| Address Bus | — | A0-A14 (15 address lines) |