K6X1008C2D-BF55 vs K6X1008C2D-BF70 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K6X1008C2D-BF55 par Samsung Electro-Mechanics et K6X1008C2D-BF70 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete
Samsung Electronics
K6X1008C2D-BF70 K6X1008C2D-BF70 - 128Kx8 70ns Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF70 - 128Kx8 70ns Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF70 Nrnd

Comparaison des spécifications

Paramètre K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF70
Marque Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,28
Type de mémoire Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) Volatile SRAM (asynchronous, static)
Memory Organization 128K x 8 bit (1 Mbit) 128K x 8 (1 Mbit total)
Density 1 Mbit —
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (single supply) [DATA_NEEDED: VCC range]
Operating Current (ICC) 30 mA typical —
Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: standby current value] —
Interface Parallel, asynchronous —
Largeur du bus de données 8 bit —
Address Bus Width 17 bit —
Boîtier 32-SOP-525 (SOP-32) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature grade] —
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Lead-Free Yes (Lead-Free variant) —
Statut RoHS Compliant —
Cell Technology 6T CMOS memory cell —
Number of Words — 131,072
Bits per Word — 8
Type d'interface — Parallel, asynchronous
I/O Compatibility — TTL-compatible
Operating Mode — Fully static (no clock, no refresh)
Package Type — 32-SOP-525 (PDSO32)
Speed Grade Suffix — BF70 (= 70 ns)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: temperature grade]
Active Supply Current (ICC) — [DATA_NEEDED: ICC max]
CMOS Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: ICC2 max]
Output Enable (OE) Pin — Yes (three-state outputs)
Write Enable (WE) Pin — Yes
Chip Enable (CE) Pin — Yes
Lead-Free Finish — Yes (per datasheet revision history)
Process Technology — Low-power CMOS

Fiches techniques et ressources

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