K6X1008C2D-BF55 vs K6X1008C2D-BF70 比較
詳細な並列比較: K6X1008C2D-BF55 メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X1008C2D-BF70 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung
K6X1008C2D-BF55 ObsoleteSamsung Electronics
K6X1008C2D-BF70 - 128Kx8 70ns Low Power CMOS SRAM | Samsung
K6X1008C2D-BF70 Nrnd仕様比較
| パラメータ | K6X1008C2D-BF55 | K6X1008C2D-BF70 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | Obsolete | NRND |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.18 | $1.28 |
| メモリタイプ | Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM) | Volatile SRAM (asynchronous, static) |
| Memory Organization | 128K x 8 bit (1 Mbit) | 128K x 8 (1 Mbit total) |
| Density | 1 Mbit | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (single supply) | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Operating Current (ICC) | 30 mA typical | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: standby current value] | — |
| インターフェース | Parallel, asynchronous | — |
| データバス幅 | 8 bit | — |
| Address Bus Width | 17 bit | — |
| パッケージ | 32-SOP-525 (SOP-32) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature grade] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Lead-Free | Yes (Lead-Free variant) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Cell Technology | 6T CMOS memory cell | — |
| Number of Words | — | 131,072 |
| Bits per Word | — | 8 |
| インターフェースタイプ | — | Parallel, asynchronous |
| I/O Compatibility | — | TTL-compatible |
| Operating Mode | — | Fully static (no clock, no refresh) |
| Package Type | — | 32-SOP-525 (PDSO32) |
| Speed Grade Suffix | — | BF70 (= 70 ns) |
| 動作温度範囲 | — | [DATA_NEEDED: temperature grade] |
| Active Supply Current (ICC) | — | [DATA_NEEDED: ICC max] |
| CMOS Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: ICC2 max] |
| Output Enable (OE) Pin | — | Yes (three-state outputs) |
| Write Enable (WE) Pin | — | Yes |
| Chip Enable (CE) Pin | — | Yes |
| Lead-Free Finish | — | Yes (per datasheet revision history) |
| Process Technology | — | Low-power CMOS |