LMG2104R044 vs LMG2104R022 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de LMG2104R044 par Texas Instruments et LMG2104R022 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | LMG2104R044 | LMG2104R022 |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,08 | $2,79 |
| Topologie | Half-Bridge (high-side + low-side) | Half-bridge (high-side + low-side GaN FETs) |
| Switch Type | Enhancement-mode GaN FET | — |
| Drain-Source Blocking Voltage | 100 V | — |
| Typical Rds(on) per FET | 4.4 mΩ | — |
| Integrated Gate Driver | Yes | Yes |
| Integrated Bootstrap Regulator | Yes | — |
| Logic Input Compatibility | TTL, 3.3 V and 5 V | — |
| Dead-Time Control | Smart-Switching auto dead-time | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and bootstrap) | — |
| Arrêt thermique | Yes | — |
| Short-Circuit / Overcurrent Protection | Yes | — |
| Boîtier | QFN 5 mm x 4 mm | QFN-18 (VBNR) 4.5 mm × 7.0 mm |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Product Type | — | 100V GaN Half-Bridge Power Stage with Integrated Driver |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Typical On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.2 mΩ |
| FET Technology | — | Enhancement-mode Gallium Nitride (eGaN) |
| Smart Switching Features | — | Yes (dV/dt control, adaptive dead time) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | — | Yes |
| Over-Current Protection | — | Yes |
| Over-Temperature Protection | — | Yes |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Lead Finish / RoHS | — | RoHS compliant |
| Operating Mode | — | Half-bridge, hard-switched or soft-switched |