M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FB55M3E2 par Micron Technology et M29F800FT55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F800FB55M3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,01 | $4,98 |
| Type de mémoire | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (Auto Grade 125C) | — |
| Boîtier | 44-pin SO (SOP) | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Program / Erase | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Statut RoHS | Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Standard Packing | Tray | — |
| Family | M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Tension d'alimentation | — | 5 V |
| Interface | — | Parallel |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |