M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F800FB55M3E2 por Micron Technology e M29F800FT55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29F800FB55M3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,01 | $4,98 |
| Tipo de memória | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| Organização da memória | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (Auto Grade 125C) | — |
| Encapsulamento | 44-pin SO (SOP) | 48-TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Program / Erase | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Status RoHS | Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Standard Packing | Tray | — |
| Family | M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Tensão de alimentação | — | 5 V |
| Interface | — | Parallel |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |