M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 比較

詳細な並列比較: M29F800FB55M3E2 メーカー: Micron Technology および M29F800FT55N3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ 生産中
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M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FB55M3E2 M29F800FT55N3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.01 $4.98
メモリタイプ Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
メモリ構成 512K x 16 / 1M x 8 —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
パッケージ 44-pin SO (SOP) 48-TSOP I
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
RoHS ステータス Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
電源電圧 — 5 V
インターフェース — Parallel
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

データシート&リソース

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