M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F800FB55M3E2 от Micron Technology и M29F800FT55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F800FB55M3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,01 | $4,98 |
| Тип памяти | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| Организация памяти | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (Auto Grade 125C) | — |
| Корпус | 44-pin SO (SOP) | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Program / Erase | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Статус RoHS | Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Standard Packing | Tray | — |
| Family | M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Напряжение питания | — | 5 V |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |