M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FB55N3E2 par Micron Technology et M29W800FB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F800FB55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | EEPROM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,83 | $0,95 |
| Taille de mémoire | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| Type de mémoire | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Organisation de la mémoire | Bottom boot (B suffix) | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Largeur du bus de données | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Boîtier | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant (E suffix) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Nombre de broches | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |