M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F800FB55N3E2 от Micron Technology и M29W800FB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Активен
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F800FB55N3E2 M29W800FB70N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,83 $0,95
Размер памяти 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) —
Тип памяти NOR Flash, SLC, Parallel NOR Flash
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage Min 4.5 V —
Supply Voltage Max 5.5 V —
Интерфейс Parallel Parallel
Организация памяти Bottom boot (B suffix) 512K x 16 / 1M x 8
Разрядность шины данных 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) x8/x16 (BYTE# selectable)
Корпус 48-pin TSOP Type I (N suffix) 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Тип монтажа Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Рабочая температура Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) -40C to +125C
Packing Tray (blank suffix) —
Статус RoHS Compliant (E suffix) RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Programming Operations READ, ERASE, PROGRAM via command set —
Write Protection Block protection with lockable boot block —
Status Output RB# (Ready/Busy) —
Density — 8 Mbit (8388608 bits)
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase and read
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
Число выводов — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену