M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F800FB55N3E2 von Micron Technology und M29W800FB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F800FB55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | EEPROM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,83 | $0,95 |
| Speichergröße | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| Speichertyp | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Speicherorganisation | Bottom boot (B suffix) | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Datenbusbreite | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Gehäuse | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Montageart | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS-Status | Compliant (E suffix) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Pin-Anzahl | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |