M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F800FB55N3E2 por Micron Technology e M29W800FB70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29F800FB55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | EEPROM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $3,83 | $0,95 |
| Tamanho da memória | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| Tipo de memória | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Organização da memória | Bottom boot (B suffix) | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Largura do barramento de dados | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Encapsulamento | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Tipo de montagem | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| Temperatura de operação | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| Status RoHS | Compliant (E suffix) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Contagem de pinos | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |