M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W320DT70N3E par Micron Technology et M29W320DB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W320DT70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $1,95 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Taille de mémoire | 32 Mbit | — |
| Organisation de la mémoire | 4M x8 / 2M x16 | 2M x 16 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Current (typical) | 10 mA | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (DT suffix) | — |
| Boot Region | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block | — |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Package Length | 18.4 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 3 (168 Hours) | — |
| Peak Reflow Temperature Time | 30 s | — |
| Packaging | Tray | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |