M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W320DT70N3E от Micron Technology и M29W320DB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W320DT70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Flash |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $1,95 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Размер памяти | 32 Mbit | — |
| Организация памяти | 4M x8 / 2M x16 | 2M x 16 |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Current (typical) | 10 mA | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (DT suffix) | — |
| Boot Region | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block | — |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Package Length | 18.4 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 3 (168 Hours) | — |
| Peak Reflow Temperature Time | 30 s | — |
| Packaging | Tray | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |