M29W320DT70N3E vs M29W320DB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W320DT70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W320DB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W320DT70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Flash |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $1.95 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash |
| 메모리 크기 | 32 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 4M x8 / 2M x16 | 2M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Read Current (typical) | 10 mA | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (DT suffix) | — |
| Boot Region | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block | — |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Package Length | 18.4 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 3 (168 Hours) | — |
| Peak Reflow Temperature Time | 30 s | — |
| Packaging | Tray | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |