M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FB70N3E par Micron Technology et M29F800FB55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W800FB70N3E | M29F800FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | EEPROM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,95 | $3,83 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash, SLC, Parallel |
| Density | 8 Mbit (8388608 bits) | — |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 / 1M x 8 | Bottom boot (B suffix) |
| Largeur du bus de données | x8/x16 (BYTE# selectable) | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase and read | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Memory Blocks | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) |
| Boîtier | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I | 48-pin TSOP Type I (N suffix) |
| Nombre de broches | 48 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (SMD/SMT) |
| Statut RoHS | RoHS compliant (plastic TSOP-48) | Compliant (E suffix) |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) |
| Supply Voltage Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage Max | — | 5.5 V |
| Packing | — | Tray (blank suffix) |
| Programming Operations | — | READ, ERASE, PROGRAM via command set |
| Write Protection | — | Block protection with lockable boot block |
| Status Output | — | RB# (Ready/Busy) |