M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W800FB70N3E от Micron Technology и M29F800FB55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W800FB70N3E M29F800FB55N3E2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs EEPROM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,95 $3,83
Тип памяти NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
Организация памяти 512K x 16 / 1M x 8 Bottom boot (B suffix)
Разрядность шины данных x8/x16 (BYTE# selectable) 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
Интерфейс Parallel Parallel
Рабочая температура -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
Корпус 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
Число выводов 48 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Статус RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) Compliant (E suffix)
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Размер памяти — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену