M29W800FB70N3E vs M29F800FB55N3E2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29F800FB55N3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FB70N3E | M29F800FB55N3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.95 | $3.83 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash, SLC, Parallel |
| Density | 8 Mbit (8388608 bits) | — |
| 메모리 구성 | 512K x 16 / 1M x 8 | Bottom boot (B suffix) |
| 데이터 버스 폭 | x8/x16 (BYTE# selectable) | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase and read | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Memory Blocks | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 동작 온도 | -40C to +125C | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) |
| 패키지 | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I | 48-pin TSOP Type I (N suffix) |
| 핀 수 | 48 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (SMD/SMT) |
| RoHS 상태 | RoHS compliant (plastic TSOP-48) | Compliant (E suffix) |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) |
| Supply Voltage Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage Max | — | 5.5 V |
| Packing | — | Tray (blank suffix) |
| Programming Operations | — | READ, ERASE, PROGRAM via command set |
| Write Protection | — | Block protection with lockable boot block |
| Status Output | — | RB# (Ready/Busy) |