MD7P19130HSR3 vs MD7P19130HR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MD7P19130HSR3 par NXP Semiconductors et MD7P19130HR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MD7P19130HR3 MD7P19130HR3 - 40W, 1990 MHz RF Power LDMOS | NXP

MD7P19130HR3 - 40W, 1990 MHz RF Power LDMOS | NXP

MD7P19130HR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MD7P19130HSR3 MD7P19130HR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $65,10 $69,50
Type de transistor LDMOS (Dual), Lateral N-Channel RF Power MOSFET LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology NXP HV7 LDMOS Airfast LDMOS, lateral N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) Rated 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz 1.93 GHz to 1.99 GHz
Output Power (Pout) 40 W average (W-CDMA, single-carrier) —
Power Gain 20 dB typical at 1987.5 MHz 20 dB (typical at Pout = 40 W)
Drain Efficiency 30% typical at 40 W, 1987.5 MHz 30% (typical at Pout = 40 W, W-CDMA)
Quiescent Drain Current (IDQ) 1250 mA 1250 mA
ACPR (5 MHz offset, 3.84 MHz channel) -36 dBc typical —
Input Signal PAR 7.5 dB @ 0.01% probability on CCDF 7.5 dB at 0.01% CCDF
Device Output Signal PAR 6 dB @ 0.01% probability on CCDF —
Boîtier / Format NI-780S-4L (CASE 465M-01, STYLE 1), ceramic flanged NI-780-4 (Case 465M-01, Style 1), ceramic flange
Type de montage Chassis-mount (bolt-down) with ceramic lid Surface Mount (bolt-down flange)
Operating Mode Single-carrier W-CDMA, Class AB —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: rohs status from manufacturer]
Typical Drain Voltage (VDD) — 28 V
Drain Voltage - Rated — 65 V
Output Power (Avg, W-CDMA) — 40 W
ACPR — -36 dBc at 5 MHz offset (3.84 MHz channel)
Output Signal PAR — 6 dB at 0.01% CCDF

Fiches techniques et ressources

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