MD7P19130HSR3 vs MD7P19130HSR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MD7P19130HSR3 par NXP Semiconductors et MD7P19130HSR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MD7P19130HSR5 MD7P19130HSR5 - 40W RF Power LDMOS, 1.93-1.99 GHz | NXP

MD7P19130HSR5 - 40W RF Power LDMOS, 1.93-1.99 GHz | NXP

MD7P19130HSR5 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $65,10 $58,10
Type de transistor LDMOS (Dual), Lateral N-Channel RF Power MOSFET LDMOS (Dual), N-Channel
Technology NXP HV7 LDMOS RF Power LDMOS
Drain-Source Voltage (VDS) Rated 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (Pout) 40 W average (W-CDMA, single-carrier) 40 W (minimum, CW)
Power Gain 20 dB typical at 1987.5 MHz —
Drain Efficiency 30% typical at 40 W, 1987.5 MHz —
Quiescent Drain Current (IDQ) 1250 mA —
ACPR (5 MHz offset, 3.84 MHz channel) -36 dBc typical —
Input Signal PAR 7.5 dB @ 0.01% probability on CCDF —
Device Output Signal PAR 6 dB @ 0.01% probability on CCDF —
Boîtier / Format NI-780S-4L (CASE 465M-01, STYLE 1), ceramic flanged NI-780HS-4L (NI780HS-4 ceramic, flange mount)
Type de montage Chassis-mount (bolt-down) with ceramic lid Chassis / Flange Mount (through-hole flange)
Operating Mode Single-carrier W-CDMA, Class AB —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MD7P19130HSR5
Drain-Source Voltage (VDS) — 28 V (typical operating), 65 V (rated)
Drain Current (Continuous) — 1.25 A
Power Gain (Gp) — 20 dB (typical at 1.99 GHz)
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Frequency Band — DCS1800 / PCS1900 / UMTS / LTE Band 1/2/3
Weight — 6.47 g
Test Conditions — VDS = 28 V, IDQ set per datasheet, f = 1.99 GHz, CW

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis