MRF6S19200HR5 vs MRFE6S9160HR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF6S19200HR5 par NXP Semiconductors et MRFE6S9160HR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF6S19200HR5 MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF6S19200HR5 MRFE6S9160HR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $89,75 $25,20
Type de transistor LDMOS N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Technology RF Power MOSFET HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like)
Drain-Source Voltage (Vds) Max 66 V —
Test Voltage (Vds) 28 V —
Test Current (Ids) 1.6 A —
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Power Gain (Typ) 17.9 dB —
Output Power (Pout) 56 W (CW) —
Boîtier NI-780H-2L (ceramic flange) —
Type de montage Flange / Screw Mount Chassis / Flange mount (through-hole RF leads)
Operating Mode Class AB, Class C —
Application CDMA base station, multicarrier amplifiers —
Input Matching Internal (broadband) —
Lead Free Status Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — NXP Semiconductors
Drain-Source Voltage (V DSS) — 70 V (max)
Drain Current (continuous) — [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C]
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Test Frequency — 880 MHz
Drain Supply Voltage (V DD) — 28 V (typical)
Output Power (Average) — 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz)
Output Power (PEP) — [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions]
Power Gain (G ps / G p) — 21 dB (typical at 880 MHz)
Drain Efficiency — 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz)
Boîtier / Format — NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount)
Plage de température de fonctionnement — -40C to +150C (junction)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Thermal Resistance (R thJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]
Input Match — Internally matched input (broadband)
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — Not applicable (non-SMD air-cavity package)

Fiches techniques et ressources

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