MRF6S19200HR5 vs MRFE6S9160HR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF6S19200HR5 от NXP Semiconductors и MRFE6S9160HR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF6S19200HR5 MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF6S19200HR5 MRFE6S9160HR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $89,75 $25,20
Тип транзистора LDMOS N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Technology RF Power MOSFET HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like)
Drain-Source Voltage (Vds) Max 66 V —
Test Voltage (Vds) 28 V —
Test Current (Ids) 1.6 A —
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Power Gain (Typ) 17.9 dB —
Output Power (Pout) 56 W (CW) —
Корпус NI-780H-2L (ceramic flange) —
Тип монтажа Flange / Screw Mount Chassis / Flange mount (through-hole RF leads)
Operating Mode Class AB, Class C —
Application CDMA base station, multicarrier amplifiers —
Input Matching Internal (broadband) —
Lead Free Status Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — NXP Semiconductors
Drain-Source Voltage (V DSS) — 70 V (max)
Drain Current (continuous) — [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C]
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Test Frequency — 880 MHz
Drain Supply Voltage (V DD) — 28 V (typical)
Output Power (Average) — 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz)
Output Power (PEP) — [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions]
Power Gain (G ps / G p) — 21 dB (typical at 880 MHz)
Drain Efficiency — 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz)
Корпус / Типоразмер — NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount)
Диапазон рабочих температур — -40C to +150C (junction)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Thermal Resistance (R thJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]
Input Match — Internally matched input (broadband)
Lead-Free — Yes
Уровень MSL — Not applicable (non-SMD air-cavity package)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену