MRF6V3090NR1 vs MRF6V3090NBR1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MRF6V3090NR1 par NXP Semiconductors et MRF6V3090NBR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MRF6V3090NR1 | MRF6V3090NBR1 |
|---|---|---|
| Marque | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $59,90 | $44,50 |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA | — |
| Frequency Range | 470 MHz to 1215 MHz | — |
| Test Frequency | 860 MHz | — |
| Output Power (CW, Pout) | 90 W | — |
| Power Gain (typical) | 22 dB at 860 MHz | — |
| Drain Efficiency (typical) | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] | — |
| VSWR Tolerance | 10:1, all phase angles @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 W CW | 10:1 all phase angles, 50 V, 860 MHz, 90 W CW |
| Input Power (Pin) | [DATA_NEEDED: input drive level for 90 W Pout] | — |
| Package Type | TO-270 WB-4 (TO-272-4 family, ceramic air-cavity) | — |
| Type de montage | Surface Mount / Flange Mount with bolt-down heatsink | Surface Mount / Screw-Mount Chassis |
| Température de jonction en fonctionnement | -40C to +200C (max TJ) | — |
| Résistance thermique | [DATA_NEEDED: theta_JC value C/W] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status - ceramic flange packages typically non-RoHS-exempt] | unknown |
| Reel Quantity (R1 suffix) | 500 per reel (R1 = 500 unit reel) | — |
| Application | — | RF Power Amplifier |
| Frequency Band | — | 470 MHz to 1215 MHz |
| Typical Output Power (CW) | — | 90 W at 860 MHz, 50 V |
| Power Gain | — | 22 dB at 860 MHz, 90 W CW |
| Drain Supply Voltage (Vdd) | — | 50 V DC |
| Drain Current (Id) | — | 350 mA (test condition) |
| Boîtier / Format | — | TO-272 WB-4 (ceramic) |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |
| Channel Mode | — | Enhancement-mode |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Résistance thermique jonction-boîtier | — | [DATA_NEEDED: theta_jc] |
| Lead-Free | — | unknown |
| Qualification | — | Not Qualified (per partstack listing) |