MRF8P20160HSR3 vs MRF8P20161HSR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8P20160HSR3 par NXP Semiconductors et MRF8P20161HSR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8P20160HSR3 MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP

MRF8P20160HSR3 - 37W RF Power MOSFET 1880-2025 MHz | NXP

MRF8P20160HSR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF8P20161HSR3 MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8P20161HSR3 - 37W 1880-2025MHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8P20161HSR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8P20160HSR3 MRF8P20161HSR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $64,80 $99,50
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number MRF8P20160HSR3 —
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Lateral MOSFET (RF Power)
Technology HV8 lateral RF MOSFET —
Frequency Band 1880 MHz to 2025 MHz —
Output Power (Average) 37 W (Single-Carrier W-CDMA) —
Drain Supply Voltage (VDD) 28 Vdc —
Quiescent Drain Current (IDQA) 550 mA —
Power Gain (Typ) 16.5 dB at 1.92 GHz —
Test Frequency 1.92 GHz 1.92 GHz
Boîtier / Format NI-780S-4 (ceramic flanged) —
Style de montage Screw-down flange (through-hole) —
Operating Class Class AB or Class C Class AB or Class C
Junction Temperature (Max) 200 C (S-prefix sample-tested) —
Application W-CDMA / LTE / TD-SCDMA base-station PA CDMA / cellular base station RF power amplifier
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish] —
Frequency Range — 1880 MHz to 2025 MHz
Drain Supply Voltage (Vdd) — 28 V
Average Output Power — 37 W (W-CDMA)
Small-Signal Gain — 16.4 dB at 1.92 GHz
Quiescent Drain Current (Idq) — 550 mA
Boîtier — NI-780S-4 (NI-780HS-4) ceramic air-cavity, surface mount
Type de montage — Surface mount with screw-down flange
Polarity / Channel — N-Channel enhancement-mode lateral
Modulation Support — W-CDMA, LTE, multi-carrier GSM
Operating Mode — Enhancement mode

Fiches techniques et ressources

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