MRF8P26080HSR3 vs MRF8P23160WHSR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8P26080HSR3 par NXP Semiconductors et MRF8P23160WHSR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8P26080HSR3 MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF8P23160WHSR3 MRF8P23160WHSR3 - 160W RF Power MOSFET 2.3-2.4GHz | NXP

MRF8P23160WHSR3 - 160W RF Power MOSFET 2.3-2.4GHz | NXP

MRF8P23160WHSR3 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8P26080HSR3 MRF8P23160WHSR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs RF Transceivers
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $99,85 $99,10
Type de transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Technology Gen8 LDMOS (Silicon, Lateral) HV8 Lateral LDMOS
Frequency Range 2500 MHz to 2700 MHz 2300 to 2400 MHz
Average Output Power (P3dB) 14 W (W-CDMA, single-carrier) —
Peak Output Power (CW) 80 W —
Drain-Source Voltage (VDSS max) 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V nominal —
Test Mode Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA —
Application Class Class AB or Class C capable —
Modulation Formats W-CDMA, LTE, OFDM, multi-carrier —
Boîtier NI-780S-4 (ceramic, flange-mount, air-cavity) —
Type de montage Through-hole flange-mount with screw attachment —
Lead Finish Gold-plated (NiPdAu) —
Lead-Free / RoHS Compliant —
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Manufacturer — NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor)
Operating Mode — Enhancement Mode
Test Frequency — 2.32 GHz
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 65 V
Test Voltage (VDD) — 28 V
Power Gain — 14.1 dB
Average Output Power (P1dB / W-CDMA) — 30 W
Peak Output Power — 160 W
Quiescent Drain Current (IDQA) — 600 mA
Package Type — NI-780-4 (CASE 465M-01), ceramic flangeless
Number of Terminals — 4
Style de montage — Surface Mount (SMD flat lead)
Configuration — Single (Doherty-ready)
Application — Base Station / Macro Cell Power Amplifier
Statut RoHS — Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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