MRF8P26080HSR3 vs MRF8P23160WHSR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF8P26080HSR3 от NXP Semiconductors и MRF8P23160WHSR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF8P26080HSR3 MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 - 14W, 2.6GHz W-CDMA/LTE RF Power MOSFET | NXP

MRF8P26080HSR3 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRF8P23160WHSR3 MRF8P23160WHSR3 - 160W RF Power MOSFET 2.3-2.4GHz | NXP

MRF8P23160WHSR3 - 160W RF Power MOSFET 2.3-2.4GHz | NXP

MRF8P23160WHSR3 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр MRF8P26080HSR3 MRF8P23160WHSR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs RF Transceivers
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $99,85 $99,10
Тип транзистора N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Technology Gen8 LDMOS (Silicon, Lateral) HV8 Lateral LDMOS
Frequency Range 2500 MHz to 2700 MHz 2300 to 2400 MHz
Average Output Power (P3dB) 14 W (W-CDMA, single-carrier) —
Peak Output Power (CW) 80 W —
Drain-Source Voltage (VDSS max) 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V nominal —
Test Mode Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA —
Application Class Class AB or Class C capable —
Modulation Formats W-CDMA, LTE, OFDM, multi-carrier —
Корпус NI-780S-4 (ceramic, flange-mount, air-cavity) —
Тип монтажа Through-hole flange-mount with screw attachment —
Lead Finish Gold-plated (NiPdAu) —
Lead-Free / RoHS Compliant —
Диапазон рабочих температур -40C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Manufacturer — NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor)
Operating Mode — Enhancement Mode
Test Frequency — 2.32 GHz
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 65 V
Test Voltage (VDD) — 28 V
Power Gain — 14.1 dB
Average Output Power (P1dB / W-CDMA) — 30 W
Peak Output Power — 160 W
Quiescent Drain Current (IDQA) — 600 mA
Package Type — NI-780-4 (CASE 465M-01), ceramic flangeless
Number of Terminals — 4
Способ монтажа — Surface Mount (SMD flat lead)
Configuration — Single (Doherty-ready)
Application — Base Station / Macro Cell Power Amplifier
Статус RoHS — Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену