MRF8S19260HR6 vs MRF7S19120NR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8S19260HR6 par NXP Semiconductors et MRF7S19120NR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8S19260HR6 MRF8S19260HR6 - 74W 30V 1.99GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8S19260HR6 - 74W 30V 1.99GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8S19260HR6 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF7S19120NR1 MRF7S19120NR1 - 36W RF Power LDMOS, 1930-1990 MHz | NXP

MRF7S19120NR1 - 36W RF Power LDMOS, 1930-1990 MHz | NXP

MRF7S19120NR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8S19260HR6 MRF7S19120NR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $96,40 $73,00
Type de transistor LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor (LDMOS) RF Power MOSFET (Gen7 HV8 LDMOS)
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz 1930 MHz to 1990 MHz
Test Frequency 1.96 GHz (1960 MHz) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) Rated 65 V —
Operating Drain Voltage (Test) 30 V —
Test Bias Current 1.6 A —
Average Output Power (Pout) 74 W —
Power Gain (Gp) 18.2 dB typical at 1.99 GHz, 30 V, 1.6 A —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: typical % at rated conditions] —
Application Class Class AB or Class C —
Modulation Support CDMA, W-CDMA, multi-carrier GSM/EDGE/LTE —
Boîtier NI-1230-8 (ceramic bolt-down, 2-lead flange) TO-270 WB-4 (overmolded plastic, 4-lead)
Type de montage Chassis / heatsink mount (bolt-down flange) —
Lead-Free Status Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: confirm from NXP product page] —
Manufacturer Freescale Semiconductor (now NXP Semiconductors) —
Output Power (Avg, W-CDMA) — 36 W
Drain-Source Voltage (Vds max) — 65 V (rated)
Test Supply Voltage (Vdd) — 28 V
Test Quiescent Current (Idq) — 1.2 A
Power Gain (typ) — 18 dB at 1.99 GHz
Operating Class — Class AB, Class C
Style de montage — Surface Mount / Flange Mount
Nombre de broches — 5 (per Freescale/NXP datasheet)
Lead Free Status — Lead Free per datasheet
Target Modulation — W-CDMA, CDMA, multi-carrier GSM
Application — CDMA / W-CDMA base station final-stage PA

Fiches techniques et ressources

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