MRF8S9220HSR3 vs SRF8S9260HSR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8S9220HSR3 par NXP Semiconductors et SRF8S9260HSR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8S9220HSR3 MRF8S9220HSR3 - 65W 920-960MHz W-CDMA RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9220HSR3 - 65W 920-960MHz W-CDMA RF Power LDMOS | NXP

MRF8S9220HSR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
SRF8S9260HSR3 SRF8S9260HSR3 - 75W 920-960MHz RF Power MOSFET | NXP

SRF8S9260HSR3 - 75W 920-960MHz RF Power MOSFET | NXP

SRF8S9260HSR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8S9220HSR3 SRF8S9260HSR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $96,80 $92,50
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET), N-Channel Enhancement-Mode —
Frequency Range 920 MHz to 960 MHz —
Output Power (Avg, W-CDMA) 65 W —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Drain-Source Voltage Rating (VDS max) 70 V —
Power Gain (typ) 19.4 dB —
Test Drain Current 1.6 A —
Drain Efficiency (typ) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Boîtier / Format NI-780S (Case 465-06, Style 1), ceramic —
Package Dimensions (L x W x H) 20.7 mm x 9.91 mm x 4.32 mm —
Configuration Single-ended, 1-carrier W-CDMA —
Température de jonction en fonctionnement -65 C to +225 C —
Type de montage Surface Mount / Flange Mount Screw-mount, flange
Lead-Free / RoHS Lead Free (per DigChip listing) —
Modulation Support W-CDMA, CDMA, LTE (Class AB / Class C) —
Manufacturer — NXP Semiconductors (Freescale legacy)
Part Family — MRF8S9260 / SRF8S9260 HV8 series
Type de transistor — N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Application Band — 920-960 MHz (usable 865-960 MHz)
Output Power (Avg) — 75 W (W-CDMA, 28 V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 28 V
Quiescent Drain Current (IDQ) — 1.7 A typical
Power Gain (Gps) — 18.6 dB at 960 MHz
Drain Efficiency — [DATA_NEEDED: drain efficiency %]
Boîtier — NI-880S (ceramic, flanged)
Operating Mode — Class AB or Class C
Modulation Targets — CDMA, W-CDMA, multicarrier GSM
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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