MRFE6P9220HR3 vs MRF6P9220HR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFE6P9220HR3 par NXP Semiconductors et MRF6P9220HR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFE6P9220HR3 MRFE6P9220HR3 - 47W 900MHz RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6P9220HR3 - 47W 900MHz RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6P9220HR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF6P9220HR3 MRF6P9220HR3 - 880MHz 47W RF Power MOSFET | NXP

MRF6P9220HR3 - 880MHz 47W RF Power MOSFET | NXP

MRF6P9220HR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFE6P9220HR3 MRF6P9220HR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $232,20 $58,40
Type de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode, Lateral N-Channel Lateral MOSFET (RF Power)
Technology RF Power MOSFET LDMOS, enhancement-mode
Frequency Range 865 MHz to 1000 MHz —
Test Frequency 880 MHz 880 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) Max 66 V —
Test Supply Voltage 28 V —
Test Drain Current 1.6 A —
Output Power (Avg, N-CDMA) 47 W —
Peak Output Power 200 W —
Power Gain (Typ) 20 dB at 880 MHz —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: typical drain efficiency % at 47 W avg] [DATA_NEEDED: efficiency at test]
Boîtier NI-860C3 (NI860ML), ceramic-metal sealed cofired, surface mount NI-860C3 (ceramic, flange-mount)
Configuration Common source, 2 elements Common-source, single-ended
Type de montage Surface Mount with copper heatsink pad Surface/chassis mount (flange to heatsink)
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Lead Free Status Lead Free —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MRF6P9220HR3
Drain-Source Voltage (VDS) — 28 V typical
Typical Output Power (Pout) — 47 W (average, N-CDMA)
Power Gain (Gp) — 20 dB typical
Drain Current at Test (ID) — [DATA_NEEDED: drain current at Pout test]
Quiescent Bias Current (IDQ) — 1.6 A typical
Operating Frequency Range — Up to 1000 MHz (broadband, up to ~1 GHz typical)
Application — Base-station PA, N-CDMA, industrial RF
Operating Mode — Enhancement mode

Fiches techniques et ressources

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